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특허실용신안 유기 트랜지스터, 유기 커패시터, 유기 전자 소자
2021.02.08 20:15
| IP 명칭 | 유기 트랜지스터, 유기 커패시터, 유기 전자 소자의 제조 방법 및 유기 트랜지스터의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 박철민, 강석주, 김강립, 강한솔 |
| 출원번호 | 1020190071544 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 1021067320000 |
| 출원일 | 2019.06.17 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2020.04.24 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명은 반도체채널 층의 양 단부에 형성된 제 1과 2 소스/드레인 전극과, 제 1 소스/드레인 전극과 제 2 소스/드레인 전극 사이의 제 1 영역 상에 형성된 게이트 전극과 반도체 채널 층의 제 1 영역과 게이트 전극 사이에 형성된 강유전성을 갖는 유기 단결정 층을 포함하는 유기 트랜지스터를 제공하는 것이다. |
| IP 핵심 키워드 | 반도체 채널, 유기 단결정 층, π-결합 스위칭 |
| 종래 기술과의 차이점 | 트랜지스터의 경우에 낮은 게이트 전압을 갖는 것이 유리하지만, 유기 반도체 재료들은 저비용의 효율적인 생산이 가능하는 것과 같은 이점에도 불구하고 높은 구동 전력이 요구되어 차세대 반도체 기술로서 응용 범위가 제한될 수 있다. |
| 사업성 또는 시장성 | 정보 처리 기술의 발달에 따라 많은 양의 정보 저장 기술이 요구되며, 향상된 기록/독출 속도 및 신뢰도에 대한 필요성이 증가하고 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
유기 소자의 제조 방법을 도시한 도면
