2021.02.05 20:30
IP 명칭 | 성장 기판의 화학적 표면 처리에 의한 그래핀 층의 제조 방법 |
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권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
발명자 또는 창작자 | 이관형, 이종영 |
출원번호 | 1020190058690 |
공개번호 | 1020200133469 |
등록번호 | 1022028470000 |
출원일 | 2019.05.20 |
공개일 | 2020.11.30 |
등록일 | 2021.01.08 |
IP 분야 | 전자통신소자 |
응용 분야 및 용도 | |
설명 및 특징 | 본 발명은 그래핀의 핵생성 자리를 제공하는 표면을 갖는 금속 기판의 표면에 유기 용매, 산성 용액 또는 이의 혼합 용액을 포함하는 처리 용액을 제공하여 상기 표면의 거칠기 제어 및 이물질 제거 중 적어도 어느 하나의 처리를 통해 상기 핵생성 자리를 개질 시켜서 표면 상에 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)에 의해 그래핀층을 형성시키는 방법을 제공하는 것이다. |
IP 핵심 키워드 | 그래핀의 핵생성 자리, 금속 기판의 표면, 유기/산성 용매, 그래핀 층 |
종래 기술과의 차이점 | 종래의 화학 기상 증착법에 의한 그래핀 성장 동안 불필요한 핵생성 자리가 생기는 경우, 상기 핵생성 자리에서 생성된 핵을 중심으로 다수의 그래핀 결정립이 형성되고 결정립 경계들 사이의 상호 작용에 의해 단결정 그래핀의 대면적 성장이 어려울 수 있다 |
사업성 또는 시장성 | 그래핀은 가시광선에 대해 높은 투과율을 나타낼 뿐만 아니라, 우술한 기계적 물성과 전도성을 가져 투명 전극 소재, 반도체 소자, 분리막 또는 각종 센서용 소재로 각광받고 있다. |
IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
IP 거래 형태 | 협의 |
IP 거래 희망 시기 | 협의 |
거래 희망 금액 | 협의 |
IP 거래 조건 | 협의 |
그래핀 층의 제조 방법 흐름도 1
그래핀 층의 제조 방법 흐름도 2