2021.02.05 19:55
IP 명칭 | 반도체 박막의 제조 방법 및 광 검출기 |
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권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
발명자 또는 창작자 | 조용수 |
출원번호 | 1020190058318 |
공개번호 | 1020200132575 |
등록번호 | |
출원일 | 2019.05.17 |
공개일 | 2020.11.25 |
등록일 | |
IP 분야 | 전자통신소자 |
응용 분야 및 용도 | 반도체, 디스플레이 |
설명 및 특징 | 본 발명은 가요성 기판에 응력을 인가하여 기판을 변형시키고, 변형된 상태에서 기판 상에 반도체 박막을 형성하는 박막 형성하고, 기판에 인가된 응력을 해제하여 변형된 기판을 복원하는 응력 해제 단계 또한 포함하여 기판에 인가된 응력의 크기를 제어함으로써 반도체 박막의 광학적 특성을 조절하는 반도체 박막의 제조 방법을 제공하는 것이다. |
IP 핵심 키워드 | 가요성 기판, 응력 인가, 박막 형성, 압축 응력 |
종래 기술과의 차이점 | 반도체 박막을 형성하는 다양한 방법들이 연구되어 왔으며, 종래의 대표적인 예로 화학 기상 증착, 진공 증착, 스퍼터링 등의 방법들 있지만, 반도체 박막에 의해 구성된 광 검출기의 감도 및 효율은 반도체 박막을 구성하는 재료의 특성에 의해 영향을 받는다 |
사업성 또는 시장성 | 반도체 장치나 디스플레이 장치 등은 반도체 박막을 필요로 하고 감도 및 효율을 향상시키기 위해서는 반도체 재료의 조성을 변화시킬 필요가 있다. |
IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
IP 거래 형태 | 협의 |
IP 거래 희망 시기 | 협의 |
거래 희망 금액 | 협의 |
IP 거래 조건 | 협의 |
반도체 박막의 제조 방법