판매 IP
산업 분야별 판매 가능한 IP입니다.
| IP 명칭 | 시냅스 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 성균관대학교산학협력단, 가천대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 1020190055291 |
| 공개번호 | 1020200130015 |
| 등록번호 | 1022113200000 |
| 출원일 | 2019.05.10 |
| 공개일 | 2020.11.18 |
| 등록일 | 2021.01.28 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 인공지능 반도체 |
| 설명 및 특징 | 본 발명은 전계 효과 트랜지스터에 직렬 연결된 가변 저항 메모리(CBRAM)를 포함하고 전계 효과 트랜지스터는 반도체 채널층의 양 단부에각각 배치되는 제 1 소오스/드레인 및 제 2 소오스/드레인과 제 1과 2 소오스/드레인 사이의 상기 반도체 채널층 상에 배치되는 게이트 절연막, 절연막 상에 배치되는 유전체막, 유전체막 상에 배치되는 게이트 전극을 포함하여 가변 저항 메모리의 일 전극이 상기 트랜지스터의 상기 제 1 및 제 2 소오스/드레인 중 어느 하나에 연결되면서 유전체막은 생체 복합 유전 물질을 포함할 수 있다. 따라서 인간의 뇌 신경망을 모사하는 멀티 비트 시냅스 소자에 제조하는 방법을 제공하는 것이다. |
| IP 핵심 키워드 | 전계 효과 트랜지스터(FET), 반도체 채널층, 유전체막, 게이트 절연막, 가변 저항 메모리 |
| 종래 기술과의 차이점 | 기존에 다양한 방식으로 동작하는 시냅스 소자들이 보고되었으나, 신뢰성 있는 동작과 구동 마진을 증가시키기 위하여 본 발명은 가중치의 최소값과 최대값의 차이를 더 증가시키는 것이다. |
| 사업성 또는 시장성 | 하드웨어 기반의 인공지능 반도체 시스템이 사물을 인식하고 학습하기 위해서는(deep learning), 각 입력 신호의 중요도를 학습하여 가중치를 정하는데 사용 가능한 상태가 많을수록 보다 정교한 학습을 할 수 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
시냅스 소자의 등가 회로를 나타내는 도면
시냅스 소자의 제조 방법
시냅스 소자를 구성하는 가변 저항 메모리(CBRAM)의 제조 방법
