2021.02.04 23:44
IP 명칭 | 다공성 실리콘 구조체, 이를 포함하는 2차전지용 음극 활물질 및 이의 제조방법 |
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권리자 | 연세대학교 산학협력단, 청주대학교 산학협력단 |
발명자 또는 창작자 | 김도향, 공경호, 현재익 |
출원번호 | 1020190052550 |
공개번호 | 1020200030436 |
등록번호 | |
출원일 | 2019.05.03 |
공개일 | 2020.03.20 |
등록일 | |
IP 분야 | 전자통신소자 |
응용 분야 및 용도 | 리튬 이차전지 |
설명 및 특징 | 본 발명은 비정질 합금의 용탕을 급속 응고법으로 응고시켜 비정질 합금 리본을 제조하고 상기 합금 리본을 Si 결정상이 형성되는 온도범위에서 열처리하여 Si 결정상이 포함된 합금리본을 제조한 후, Si 결정상이 포함된 합금리본을 전기화학적 탈부식에 의해 실리콘 결정 상을 제외한 다른 금속 원소의 상을 선택적으로 제거하여 다공성 실리콘 구조체를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. |
IP 핵심 키워드 | 비정질 합금, 실리콘 결정상, 멜트스피닝법, 합금리본, 다공성 실리콘 구조체 |
종래 기술과의 차이점 | 다공성 실리콘계 음극 활물질을 제조하는 종래 방법에 의하면 공극의 크기 및 분포를 균일하게 유지하거나 표면 및 내부의 공극률을 조절하는 것이 용이하지 않아, 이차전지의 용량 및 사이클 수명 특성을 만족시키는데 한계가 있다. |
사업성 또는 시장성 | 최근 스마트폰, 노트북, 전기자동차 등의 장치들이 개발됨에 따라 에너지원으로 사용되는 리튬 이차전지의 수요가 증가하고 있다 |
IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
IP 거래 형태 | 협의 |
IP 거래 희망 시기 | 협의 |
거래 희망 금액 | 협의 |
IP 거래 조건 | 협의 |
대표도
비정질 합금리본 제조에 이용될 수 있는 멜트스피닝 장치의 구조를 설명하기 위한 개략도