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특허실용신안 선택 소자 및 이의 제조 방법
2021.01.29 23:43
| IP 명칭 | 선택 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 손현철, 이지민, 김재연, 김태호 |
| 출원번호 | 10-2019-0040141 |
| 공개번호 | - |
| 등록번호 | 10-2081020 |
| 출원일 | 2019년04월05일 |
| 공개일 | - |
| 등록일 | 2020년02월18일 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 선택 소자 |
| 설명 및 특징 | 전극과 금속-절연체 전이(metal-insulator transition; MIT) 특성을 갖는 물질 층 사이에 MIT 물질 층의 산화를 방지하는 산화 방지 층을 형성하고, 어닐링을 실행함으로써 포밍 과정이 생략된 선택 소자를 제공한다. |
| IP 핵심 키워드 | 산화 방지 층 |
| 종래 기술과의 차이점 | 금속-절연체 전이 물질의 산화를 야기하여 선택 소자의 기능을 저하시키는 포밍 과정을 생략했다. |
| 사업성 또는 시장성 | 전력 소비 효율이 향상되고 정확도 및 신뢰도가 높은 저항 변화 메모리의 구동을 위한 선택 소자를 제공할 수 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
다층 선택 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도
