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특허실용신안 반도체 구조의 제조 방법 및 반도체 소자
2021.01.28 23:12
| IP 명칭 | 반도체 구조의 제조 방법 및 반도체 소자 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단 , 경북대학교 산학협력단 , (재)한국나노기술원 |
| 발명자 또는 창작자 | 고대흥, 김형섭, 김대현, 신찬수, 장현철, 이인근 |
| 출원번호 | 10-2018-0169733 |
| 공개번호 | - |
| 등록번호 | 10-2106720 |
| 출원일 | 2018년12월26일 |
| 공개일 | - |
| 등록일 | 2020년04월24일 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 반도체 |
| 설명 및 특징 | 복수의 몰드 핀 구조들의 노출된 표면을 씨드 표면으로 하여 반도체 층을 에피택셜 성장시킴으로써, 인접한 몰드 핀 구조들 사이에 복수의 반도체 구조들을 형성할 수 있어 높은 전자 이동도를 갖는 고품질의 반도체 구조의 제조 방법을 제공한다. |
| IP 핵심 키워드 | 실리콘, 에피텍셜 성장, 핀 |
| 종래 기술과의 차이점 | 높은 전자이동도를 갖는 고성능의 반도체 소자를 얻을 수 있다. |
| 사업성 또는 시장성 | 반도체 시장은 스케일링을 통해 고밀도화 또는 고용량화하는 기술만으로는 기술 경쟁력을 확보하기 어려운 것이 현실이며, 현재는 각 디바이스의 성능 최적화도 중요한 경쟁 요인이 되었다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
핀 형상의 반도체 구조의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도
