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특허실용신안 가변 저항 메모리 소자
2021.01.28 22:09
| IP 명칭 | 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | - |
| 발명자 또는 창작자 | 조성재, 이재윤 |
| 출원번호 | 10-2018-0158703 |
| 공개번호 | 10-2020-0070960 |
| 등록번호 | - |
| 출원일 | 2018년12월10일 |
| 공개일 | 2020년06월18일 |
| 등록일 | - |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 플래시 메모리 |
| 설명 및 특징 | 가변 저항 메모리 셀이 실리콘 전극층, 게르마늄 산화물 박막 및 금속 전극층의 적 층 구조를 가짐으로써 기존의 확립된 실리콘 기반의 메모리 제조 공정과 높은 정합성을 가진다. 상기 실리콘 전극층과 상기 게르마늄 산화물 박막 사이에 안정된 계면을 확보하여 스위칭 동작의 내구성과 셀간 스위칭 산포가 적다. |
| IP 핵심 키워드 | 실리콘, 가변 저항층, 금속 전극층 |
| 종래 기술과의 차이점 | 종래의 실리콘 기반의 메모리 제조 공정과 양립할 수 있어, 빠른 기술적 완성과 경제성을 확보했다. |
| 사업성 또는 시장성 | 가변 저항 메모리 소자의 성능을 더욱 향상시키기 위하여 새로운 가변 저항체 재료 및 이의 응용 구조에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
대표도
