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특허실용신안 3차원 낸드 플래시 메모리 소자
2021.01.28 05:37
| IP 명칭 | 3차원 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 에스케이하이닉스 주식회사 , 충남대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 이가원, 임재갑, 정준교, 박정현, 김유정, 정병준 |
| 출원번호 | 10-2018-0046965 |
| 공개번호 | 10-2019-0123163 |
| 등록번호 | 10-2123545 |
| 출원일 | 2018년04월23일 |
| 공개일 | 2019년10월31일 |
| 등록일 | 2020년06월10일 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 플래시 메모리 |
| 설명 및 특징 | 국지적 산소 공공을 포함하는 금속 산화물을 셀 트랜지스터의 채널층으로서 활용한다. 실리콘 나노 결정을 포함하는 데이터 저장막을 포함한다. |
| IP 핵심 키워드 | 실리콘, 플래시 메모리 |
| 종래 기술과의 차이점 | 균일한 특징의 메모리 셀들을 가지며, 셀 전류의 크기를 개선시킴으로써, 고집적도를 갖고, 고속 및 저전력 구동이 가능한 3차원 낸드 플래시 메모리 소자를 제공한다. |
| 사업성 또는 시장성 | 비휘발성 메모리 시장이 급속도로 팽창하고 있다. 그 중 저비용으로 고집적이 가능한 낸드(NAND) 플래시 메모리 소자는 널리 상용화되고 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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