2020.09.22 23:33
| IP 명칭 | 실리콘 기판 상에 게르마늄 메사 구조를 형성하는 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 고대홍 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2007-0076321 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-0923237 |
| 출원일 | 2007-07-30 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2009-10-16 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명에 따르면, 실리콘-게르마늄 메사 구조를 제어된 산화 조건 하에서 게르마늄 메사 구조로 변화시킨다.따라서, 갈륨-비소와 면간 격자 거리 차이가 작은 게르마늄 메사 구조 상에 선택적으로 갈륨-비소 층을 증착할 수 있어, 실리콘 기판 상에 우수한 전기적 특성을 갖는 갈륨-비소 층을 증착할 수가 있고, 이를 확대하여 3-5족 화합물 반도체, 태양 전지 등에 적용할 수가 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 |
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