2020.09.18 01:30
IP 명칭 | 직접 전사 프린팅 방법 및 상기 방법에 이용되는 전사 매체 |
---|---|
권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
발명자 또는 창작자 | |
출원번호 | 10-2015-0157912 |
공개번호 | |
등록번호 | 10-1771327 |
출원일 | 2015-11-11 |
공개일 | |
등록일 | 2017-08-18 |
IP 분야 | 전자통신소자 |
응용 분야 및 용도 | |
설명 및 특징 | 본 발명에 따르면, 전사 매체를 포함하는 전사 기판에서 PDMS 대신에 금속 산화물 층(가장 바람직하게는, Al2O3층)을 이용한다. 이 금속 산화물 층은 포토리쏘그래피 공정 중의 유기 용매를 견뎌낼 수 있고, 따라서 PDMS를 이용하는 경우에는 구현하지 못한 전극 간 간극, 즉 2 ㎛ 이하의 전극 간극을 구현할 수 있어, 미세 패턴을 구현한 전극을 FET와 같은 반도체 소자 기판에 전사할 수 있다. |
IP 핵심 키워드 | |
종래 기술과의 차이점 | |
사업성 또는 시장성 | |
IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
IP 거래 형태 | 매입 |
IP 거래 희망 시기 | 협의 |
거래 희망 금액 | 협의 |
IP 거래 조건 | 협의 |
-