2020.09.15 02:54
| IP 명칭 | 플라즈마 공정 장치 및 이의 제어 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2016-0049132 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | |
| 출원일 | |
| 공개일 | |
| 등록일 | 10-1848992-00-00 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명에 따르면, 플라즈마 상태의 반응 가스의 농도 분포에 영향을 미치는 플라즈마 박막 증착 공정 장비의 공정 변수 중 웨이퍼 면적 내 국부적으로 반응 가스의 농도 제어가 가능한 조건인 온도를 제어함으로써, 특히 기판 온도에 비해 상대적으로 저온인 플라즈마 전극의 온도를 제어함으로써, 플라즈마 밀도 즉 반응 가스 농도 구배에 대한 주변의 간섭을 최소화면서 플라즈마 상태의 반응 가스의 농도 분포를 제어할 수 있다. 따라서, 전극의 냉각부의 분할된 독립 영역들과 연계하여 두께 및 공정 결과를 모니터링하고 이를 피드백하여 보정 알고리즘에 따라 후속 공정에 대하여 플라즈마 전극의 온도가 보정되도록 함으로써 피처리체에 대해 수행되는 플라즈마 공정의 균일도를 향상 또는 제어할 수 있으며, 대면적의 기판에 대하여도 공정의 균일화를 통해 제조 수율을 향상시킬 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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