2020.09.15 00:09
| IP 명칭 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2016-0115914 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1823261 |
| 출원일 | 2016-09-08 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2018-01-23 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 채널 부재의 외부 표면 상에 형성되고 물분자(WM)들이 함유되는 고분자 담지층 및 상기 고분자 담지층 내에 형성되는 트랩층을 포함하며, 상기 트랩층에 트랩핑 또는 상기 트랩층으로부터 디트랩핑되는 적어도 하나의 하전 입자에 의해 적어도 하나의 데이터 상태가 정의됨으로써, 메모리 소자의 수율과 안정성을 향상시키고 유연성을 제공하고 또한 메모리 집적도를 높이기 위한 멀티레벨의 전류 상태를 갖는 비휘발성 메모리 소자가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
-