2020.09.14 23:49
| IP 명칭 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2016-0088907 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1907742 |
| 출원일 | 2016-07-13 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2018-10-05 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N형 산화 아연층과 상기 산화 아연층 상에 형성되어 이종 접합을 형성하는 산화 구리의 나노 로드들을 포함하는 P 형 산화 구리층을 포함하여, 안정하고 풍부하여 경제적 제조가 가능하며, 산화물 반도체의 전기적 특성과 광학적 특성 조절이 가능한 산화물 반도체를 이용한 발광 다이오드이 제공된다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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