2020.09.11 03:12
| IP 명칭 | 저항 변화를 이용한 비휘발성 메모리 소자 |
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| 권리자 | 국민대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2015-0102064 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1720868 |
| 출원일 | 2015-07-18 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2017-03-22 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 선형 배선 구조체의 알루미늄 산화물의 제 1 표면층과 제 2 선형 배선 구조체의 탄소 함유물의 제 2 표면층을 서로 접촉하여 접촉 계면을 형성한 후, 적합한 전위차를 인가하거나 전류를 흐르게 하여, 상기 접촉 계면에 가역적 전기화학적 반응 생성물을 형성함으로써, 상기 선형 배선 구조체들 사이에 다른 산화막과 같은 이종의 절연층을 형성하지 않고서도, 적어도 2 이상의 저항값 레벨이 제공될 수 있는 비휘발성 메모리 소자가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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