2021.02.09 20:24
IP 명칭 | 반사 구조체 및 반사형 포토 마스크 |
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권리자 | 부경호, 주식회사 위벨롭 |
발명자 또는 창작자 | 부경호 |
출원번호 | 1020190149173 |
공개번호 | 1020200010148 |
등록번호 | |
출원일 | 2019.11.19 |
공개일 | 2020.01.30 |
등록일 | |
IP 분야 | 전자통신소자 |
응용 분야 및 용도 | |
설명 및 특징 | 본 발명은 기판 상의 반사 다층 구조 상에 소정의 반사 영역을 정의하는 패턴을 갖는 흡수 층의 상부 표면 또는 측벽 또는 반사 다층 구조의 상부 표면 또는 측벽 중 적어도 일부 영역 상에 접촉되어 흡수 층의 상부 표면 또는 반사 다층 구조의 상부 표면이 접지되거나 소정의 전위로 유지되도록 외부 회로에 연결시키기 위한 도전체를 포함하는 반도체 소자의 포토리소그래피 공정에 이용되는 반사 구조체와 반사형 포토 마스크를 제공하는 것이다. |
IP 핵심 키워드 | 반사 다층 구조, 도전체, 도핑된 반도체 박막 |
종래 기술과의 차이점 | 미세 패턴을 형성하기 위하여 종래에는 가시광선 또는 자외선에 의한 포토 리소그래피 공정들이 이용되고 있고, 그 중 노광 기술인 EUV 리소그래피가 유망시되고 있지만, 반도체 제조 생산성을 감소시키는 요인이 되고 있다. |
사업성 또는 시장성 | 반도체 산업의 급격한 발전에 따라 상기 반도체의 집적도가 향상되면서 복잡한 미세 패턴을 형성하기 위한 기술이 발전하고 있다. |
IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
IP 거래 형태 | 협의 |
IP 거래 희망 시기 | 협의 |
거래 희망 금액 | 협의 |
IP 거래 조건 | 협의 |
반사형 포토 마스크의 단면도 중 첫 번째 예
포토리소그래피 시스템의 도면