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특허실용신안 다파장 발광 다이오드 에피택셜 구조
2021.02.08 22:27
| IP 명칭 | 다파장 발광 다이오드 에피택셜 구조 |
|---|---|
| 권리자 | 에필즈 테크놀로지스 인코포레이티드 |
| 발명자 또는 창작자 | 지운-웨이 투, 웨이-유 쳉, 테츠야 고우다 |
| 출원번호 | 1020190075582 |
| 공개번호 | 1020200083894 |
| 등록번호 | |
| 출원일 | 2019.06.25 |
| 공개일 | 2020.07.09 |
| 등록일 | |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명은 기판 상에 적층되는 적어도 3개의 발광 소자를 포함하는 다파장 발광 다이오드 에피택셜 구조에 의하면, 단일 발광 다이오드만 필요한 경우에 복수 의 종류의 상이하게 여기된 스펙트럼 범위의 광들을 동시에 발광함으로써, 더 광범위한 발광 스펙트럼의 범위를 포괄할 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | 발광 소자, 발광 다이오드 에피택셜 구조, 캐핑층, 발광층 |
| 종래 기술과의 차이점 | 종래의 발광 다이오드 에피택셜 구조는 대부분 단일한 발광층만을 가지며, 일부 설계는 많아야 2개의 발광층을 가지기 때문에 단일하거나 2가지의 파장을 갖는 광만 발광할 수 있다. 또한, 그 발광 파장은 물질 특성에 영향을 받으며, 포괄할 수 있는 스펙트럼의 범위가 상당히 한정적이다. |
| 사업성 또는 시장성 | 발광 다이오드는 미세 전류를 통전하면 자체적으로 발광하는 반도체 전자 소자를 말하며, 다른 조명원에 비해 사용 수명이 상당히 길다 |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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