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특허실용신안 3차원 비휘발성 메모리 소자
2021.02.06 00:47
| IP 명칭 | 3차원 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 황철성 |
| 출원번호 | 1020190065931 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 1021799340000 |
| 출원일 | 2019.06.04 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2020.11.11 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 셀 반도체 메모리 소자 |
| 설명 및 특징 | 본 발명은 기판 상에 수직 방향으로 신장된 금속 산화물을 포함하는 반도체 채널 층 반도체 채널 층의 일측에 접하는 메모리 셀과 반도체 채널 층의 상기 일측에 반대되는 타측 상에 배치되며 수직 방향을 따라 서로 직렬 연결된 복수의 메모리 셀들을 정의하는 게이트 전극과 게이트 전극 및 반도체 채널 층 사이의 게이트 절연막을 포함하는 복수의 게이트 구조를 갖는 3차원 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. |
| IP 핵심 키워드 | 메모리 셀, 반도체 채널 층, 게이트 절연막, 인듐-주석 산화물(ITO), 가변 저항 층 |
| 종래 기술과의 차이점 | 반도체 메모리 소자의 집적도는 단위 메모리 셀이 점유하는 평면적에 의해 주로 결정되기 때문에, 미세 패턴 형성 기술의 수준에 크게 영향을 받는다. |
| 사업성 또는 시장성 | 차세대 메모리들 중 하나로서 저항 변화 메모리(RRAM)는 저비용, 단순한 구조, 및 신속한 읽기/쓰기 속도, 우수한 내구성과 같은 장점을 가지고 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
전도도 강화 층을 더 포함하는 3차원 비휘발성 반도체 메모리 소자의 단위 메모리 셀 영역의 구조를 나타내는 확대 단면도
가변 저항 층을 갖는 메모리 셀들을 포함하는 3차원 비휘발성 메모리 소자
