판매 IP


산업 분야별 판매 가능한 IP입니다.


IP 명칭 트라이온 기반 발광 터널 소자 및 발광 터널 소자의 제조 방법 
권리자 연세대학교 산학협력단 
발명자 또는 창작자 이관형, 류희제 
출원번호 1020190059784 
공개번호  
등록번호 1021677380000 
출원일 2019.05.22 
공개일  
등록일 2020.10.13 
IP 분야 전자통신소자 
응용 분야 및 용도 발광 소자 
설명 및 특징 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 양전하 주입 층과 음전하 주입 층 사이에 배치되며 양전하 주입 층에 접하는 제 1 절연 층과 음전하 주입 층에 접하는 제 2 절연 층사이의 전이금속 디칼코제나이드(Transition Metal Dichalcogenide; TMD) 층을 갖는 양자 우물 구조와 TMD 층의 적어도 일부에 접하는 음전하 공급 층을 포함하는 양자 우물 구조인 발광 소자를 제공하는 것이다. 
IP 핵심 키워드 양전하/음전하 층, 발광부, 제어 전극, TMD 층 
종래 기술과의 차이점 종래 기술에서는, 양자 우물 구조를 갖는 발광 소자의 경우에, 터널 전류의 변화시켜 발광 강도를 변화시킬 수 있었지만, 발광 소자의 발광 파장 및 발광 강도를 함께 제어할 수 없었다. 
사업성 또는 시장성 전이금속 디칼코제나이드(Transition Metal Dichalcogenide: TMD)는 삼중 원자층(triple atomic layer)이 단일층을 이루며 탄소 원자 한 층으로 이루어진 그래핀(Graphene)과 유사한 판상 구조를 갖는 물질로서 발광 소자로의 응용에 적합하다. 
IP 실현단계(TRL) 사업화 
IP 거래 형태 협의 
IP 거래 희망 시기 협의 
거래 희망 금액 협의 
IP 거래 조건 협의 

발광 소자의 단면도 및 전자가 발광 영역으로 주입되는 것을 도시하는 모식도


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