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특허실용신안 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법
2021.01.29 23:59
| IP 명칭 | 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 손현철, 이지민, 김재연 |
| 출원번호 | 10-2019-0040153 |
| 공개번호 | - |
| 등록번호 | 10-2077957 |
| 출원일 | 2019년04월05일 |
| 공개일 | - |
| 등록일 | 2020년02월10일 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 저항 변화 메모리 소자 |
| 설명 및 특징 | 초기에 형성된 니오븀 산화물 박막 상에 전극을 형성하는 과정에서 상기 초기에 형성된 니오븀 산화물 박막 내부의 비격자 산소를 격자 산소로 변화시킴으로써 별도로 선택 소자를 형성하는 공정 없이 상기 선택 소자와 저항 변화 메모리의 적층 구조를 형성하여 효율적이고, 신속하며, 낮은 비용의 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법이다. |
| IP 핵심 키워드 | 니오븀 산화물, 격자 산소 |
| 종래 기술과의 차이점 | 추가적인 공정 없이 저항 변화 메모리 소자의 인접 셀로부터 흐르는 누설 전류를 차단하여 상기 메모리 소자의 작동 오류를 줄였다. |
| 사업성 또는 시장성 | 효율성이 높은 저항 변화 메모리 소자라는 점에서 사업성이 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
저항 변화 메모리 소자의 단면도
저항 변화 메모리 소자의 제조 방법의 순서도
