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특허실용신안 헤테로 구조의 적층 박막, 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법 및 헤테로 구조의 적층 박막을 포함하는 반도체 소자
2021.01.29 23:32
| IP 명칭 | 헤테로 구조의 적층 박막, 헤테로 구조의 적층 박막의 제조 방법 및 헤테로 구조의 적층 박막을 포함하는 반도체 소자 |
|---|---|
| 권리자 | - |
| 발명자 또는 창작자 | 이관형, 강소정 |
| 출원번호 | 10-2019-0037101 |
| 공개번호 | 10-2020-0114797 |
| 등록번호 | - |
| 출원일 | 2019년03월29일 |
| 공개일 | 2020년10월07일 |
| 등록일 | - |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 반도체 소자 |
| 설명 및 특징 | 이종의 물질이 적층된 헤테로 구조를 갖는 적층 박막은, 제 1 전이금속 원소와 제1 칼코젠 원소의 화합물을 포함하는 단일층의 제 1 전이금속 디칼코제나이드층; 및 상기 제 1 전이금속 디칼코제나이드 층 상에 배치되고, 상기 제 1 전이금속 원소의 산화물을 포함하는 제 1 산화물 층을 포함하는 헤테로 구조이다. |
| IP 핵심 키워드 | 헤테로 구조, 디칼코제나이드 |
| 종래 기술과의 차이점 | 밴드갭 구조의 설계가 자유로운 헤테로 구조의 적층 박막을 용이하게 제조할 수 있고, 종래 기술 보다 발광 효율이 향상되고 저전류 제어가 가능하다. |
| 사업성 또는 시장성 | 차세대 나노전자 소자의 물질로 밴드갭을 가지며 동시에 2차원 구조를 갖는 칼코제나이드 계열의 물질에 대한 연구가 최근 활발히 이루어지고 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
적층 박막의 단면도
