판매 IP
산업 분야별 판매 가능한 IP입니다.
| IP 명칭 | 비선형 선택 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 |
|---|---|
| 권리자 | - |
| 발명자 또는 창작자 | 손현철, 이지민, 김태호, 나희도 |
| 출원번호 | 10-2019-0036973 |
| 공개번호 | 10-2020-0114744 |
| 등록번호 | - |
| 출원일 | 2019년03월29일 |
| 공개일 | 2020년10월07일 |
| 등록일 | - |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 저항 변화 메모리 |
| 설명 및 특징 | 비선형 선택 소자는 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 금속 절연체 전이 특성을 갖는 제 1 전이 금속의 산화물 매트릭스 층 및 상기 산화물 매트릭스 층 내에 국부적으로 배치되고, 상기 제 1 전이 금속과 다른 종류의 제 2 전이 금속의 산화물을 포함하며, 문턱 전압을 갖는 스위칭 층을 포함하고, 상기 문턱 전압은 상기 제 2 전이 금속의 산화물의 함유량에 의해 조절될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | 산화물 매트릭스 층, 문턱 전압, 비선형 |
| 종래 기술과의 차이점 | 선택 소자로서 우수한 비선형 특성은 유지하며, ReRAM 소자의 메모리 셀의 동작 전압을 고려하여 넓은 문턱 전압 윈도우를 가지면서 요구되는 문턱 전압이 용이하게 설정될 수 있다. |
| 사업성 또는 시장성 | 저항 변화 메모리는 종래의 비휘발성 플래시 메모리를 대체할 차세대 메모리로서 많은 주목을 받고 있다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
비선형 선택 소자를 이용하는 비휘발성 메모리 소자의 블록도
