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특허실용신안 비선형 스위치 소자
2021.01.28 07:19
| IP 명칭 | 비선형 스위치 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | 손현철, 이다윤, 김태호 |
| 출원번호 | 10-2018-0131187 |
| 공개번호 | 10-2020-0048751 |
| 등록번호 | 10-2130219 |
| 출원일 | 2018년10월30일 |
| 공개일 | 2020년05월08일 |
| 등록일 | 2020년06월29일 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 비휘발성 메모리 소자 |
| 설명 및 특징 | Ga1-xTex(0≤x<1)를 갖는 스위칭 박막을 사용함으로써, 외부 전계에 대칭적인 I-V 특성을 가지며, 낮은 외부 전계에서는 낮은 전류가 흐르고 높은 외부 전계에서는 높은 전류가 흘러 높은 온/오프 전류 비(Ion/Ioff)를 갖는 비선형 스위치 소자가 제공된다. |
| IP 핵심 키워드 | 스위칭 소자, 비선형 특성 |
| 종래 기술과의 차이점 | 1S-1R 구조의 메모리 셀을 포함하는 크로스 포인트 구조의 비휘발성 메모리 어레이를 구현함으로써, 고집적화된 저전력 비휘발성 메모리 소자가 제공될 수 있다. |
| 사업성 또는 시장성 | 휴대용 디지털 응용 기기들의 수요가 증가하면서 비휘발성 메모리 시장은 급속도로 팽창하고 있다. 차세대 메모리 소자의 집적도를 더 증가시킬 수 있는 기술은 메모리 시장에서 경쟁적인 요인이다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
메모리 셀의 단면도
비선형 스위치 소자의 단면도
