2021.01.28 07:10
| IP 명칭 | 반도체 디바이스 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | (주)알엔알랩 |
| 발명자 또는 창작자 | 류정도 |
| 출원번호 | 10-2018-0118311 |
| 공개번호 | 10-2020-0038736 |
| 등록번호 | - |
| 출원일 | 2018년10월04일 |
| 공개일 | 2020년04월14일 |
| 등록일 | - |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 반도체 디바이스 |
| 설명 및 특징 | 1) 기판을 제공하는 단계 2) 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계 3) 상기 절연층을 식각하여 상기 기판을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계 4) 상기 개구부 및 상기 절연층 상에 콘택 플러그를 형성하는 단계 5) 상기 콘택 플러그 상에 메탈층을 형성하는 단계 및 상기 메탈층에 레이저를 조사하는 단계 |
| IP 핵심 키워드 | 콘택 플러그 |
| 종래 기술과의 차이점 | 보이드 또는 심이 제거된 콘택 플러그를 포함하는 반도체 디바이스를 제조하는 방법이다. 또한, 보이드 또는 심을 제거하는 과정에서 대상물이 용융, 고화되는 과정에서 재결정화가 되어 보다 낮은 저항의 특성을 반도체 디바이스에 제공할 수 있다. |
| 사업성 또는 시장성 | 전자 산업이 고도로 발전함에 따라, 반도체 디바이스의 고집적화가 진행되면서 반도체 디바이스 제조 공정의 콘택 플러그 형성 단계에서 발생하는 소자 특성 저하 문제를 해결하는 것은 중요한 경쟁 요인이다. |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 협의 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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