2020.09.29 02:20
| IP 명칭 | 대면적의 전이금속 산화물 박막, 이의 제조 방법 및 이의 제조 장치 |
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| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2018-0087732 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-2058293 |
| 출원일 | 2018-07-27 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-12-16 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 반데르발스 에픽성장법에 의하여 2차원 층상물질의 기저 층 표면에 이종(異種)물질인 α-MoO3 박막을 대면적에 걸쳐 수 나노미터 두께로 균일하게 형성시킬 수 있는 효과가 있다. α-MoO3 박막을 형성하기 위한 종래의 증착 방법에 대비하여, 반데르발스 에픽성장법은 층간에 미약한 반데르발스 상호작용만이 존재하고 표면에서는 비결합 오비탈이 없으므로, 2차원 이종(異種)물질인 기저 층과 α-MoO3 박막층 간의 격자 정합 조건을 상당히 완화시킬 수 있다. 그 결과로 α-MoO3 박막을 대면적에 걸쳐 균일하고 얇게 형성할 수 있으며, α-MoO3 결정 성장과정에서는 산소 결함을 제어하여 밴드갭과 일함수를 조절할 수도 있다. 이렇게 제조된 α-MoO3 박막은 우수한 절연특성을 가지고 있으므로 절연층, 유전층 또는 도펀트의 레저보어와 같은 다양한 반도체 소자로 응용이 가능한 효과가 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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