2020.09.22 21:01
| IP 명칭 | 비휘발성 강유전체 메모리 소자 및 이의 구동 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2018-0021678 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-2025007 |
| 출원일 | 2018-02-23 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-09-18 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체 활성층 상의 상유전층, 상기 상유전층 상에 적층되는 강유전층 및 상기 상유전층과 상기 강유전층 사이의 계면 또는 상기 반도체 활성층과 상기 상유전체 사이의 계면에 배치되어 트랩된 전하에 의해 상기 강유전층의 네거티브 캐패시턴스 효과와 터널 스위치 효과를 발생시키는 전하 트랩 사이트를 메모리 구동 시 이용함으로써, 선택 메모리 셀의 읽기 동작 시, 상기 선택 메모리 셀과 비트라인을 공유하는 비선택된 다른 메모리 셀들의 턴온으로 인한 상기 비선택된 다른 메모리 셀들의 장애를 개선시키며, 문턱전압(Vth)의 산포를 개선하여 리플레시 마진(refresh margin)을 향상시킴과 동시에 NAND 메모리 소자의 동작 속도를 개선하는 비휘발성 강유전체 메모리 소자를 제공할 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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