2020.09.16 02:51
| IP 명칭 | 3차원 강유전 메모리 소자의 제작 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2016-0158639 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1872122 |
| 출원일 | 2016-11-25 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2018-06-21 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 상에 수직 신장된 채널층, 상기 채널 층 상의 정보 저장을 위한 강유전체층, 및 상기 채널층과 상기 강유전체층 사이의 메모리 셀간 개별화된 결정화 시드(seed) 층을 포함함으로써, 셀 격리가 가능하여 고집적도를 달성하고, 동시에 개선된 강유전 특성을 갖는 신뢰성을 갖는 3 차원 강유전체 메모리 소자가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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