2020.09.16 02:34
| IP 명칭 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 연세대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2016-0145385 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1956431 |
| 출원일 | 2016-11-02 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-03-04 |
| IP 분야 | 신소재 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 불순물이 도핑된 산화 아연의 나노 디스크들을 포함하는 P 형 산화 아연층 및 에피택셜 계면(epitaxial interface)를 갖는 동질 접합을 형성하는 산화 아연의 나노 로드들을 포함하는 N 형 산화 아연층을 포함하여, 저비용 제조 공정 및 대면적화가 가능하며, 발광 효율을 높이고 전력 소모를 최소화하며, 저온 공정이 가능한 동질 접합을 갖는 발광 다이오드가 제공된다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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