2020.09.12 02:46
| IP 명칭 | 3차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 및 이의 프로그래밍 방법 |
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| 권리자 | 에스케이하이닉스 주식회사ㆍ 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2015-0154161 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-2057283 |
| 출원일 | 2015-11-03 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-12-12 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 메모리 층의 스트링 선택 트랜지스터들을 동일한 타켓 레벨로 프로그래밍하고, 시변 소거 전압 신호를 인가하여 상기 시변 소거 전압 신호의 시변 구간에서 스트링 선택 라인들을 각각 제어하여 상기 스트링 선택 트랜지스터들의 소거 정도를 조절함으로써, 복잡한 주변 회로 없이도 최소한의 타이밍 시퀀스 내에서 상기 스트링 선택 트랜지스터를 소정의 문턱 값을갖도록 초기화할 수 있는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법이 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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