| IP 명칭 | 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
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| 권리자 | 에스케이하이닉스 주식회사ㆍ 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2015-0160049 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-2005849 |
| 출원일 | 2015-11-14 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-07-25 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 3 차원 비휘발성 메모리 소자를 구성하는 복수의 메모리 층들 중 어느 하나의 메모리 층을 선택하기 위한 스트링 선택 트랜지스터들을 초기화하기 위해 이용되는 더미 스트링 선택 트랜지스터를 프로 그래밍함으로써, 상기 더미 스트링 선택 트랜지스터의 리던던시를 하나의 스트링 선택 트랜지스터로서 활용할 수 있게 되어, 선택 가능한 메모리 층들의 수를 증가시킴으로써 메모리 소자의 집적도를 향상시킬 수 있는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법이 제공될 수 있다. 또한, 상기 스트링 선택 트랜지스터들을 ISPP 모드에 의해 초기화하는 경우에는, 상기 스트링 선택 트랜지스터들의 문턱 값 분포를 샤프하게 함으로써 더욱 신뢰성있는 구동이 가능한 3 차원 휘발성 메모리 소자의 초기화 방법이 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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