2020.09.12 02:40
| IP 명칭 | 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2015-0132080 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1748949 |
| 출원일 | 2015-09-18 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2017-06-13 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 소자는, 몰드 절연체들의 측벽 상에 제공되어 지지되는 수직 평판 구조의 하부 전극들을 이용하여 상기 하부 전극 상에 유전막과 상부 전극을 순차 형성함으로써, 메모리 소자의 고집적화에 대 응하여 간단한 하부 전극의 구조를 가지면서도 충분한 정전 용량을 확보하고, 누설 전류 및 절연 파괴와 같은 불량 원인이 개선된 고집적 커패시터를 갖는 반도체 메모리 소자가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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