2020.09.10 01:46
| IP 명칭 | 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이들의 제조 방법 |
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| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2015-0093780 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1735187 |
| 출원일 | 2015-06-30 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2017-05-04 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 산화 가능한 반응성 제 1 전극, 쇼트키장벽층을 형성하기 위한 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에, 산소 결핍 하프늄 산화막(HfO2-x, 0<x<2), 상기 산소 결핍 하프늄 산화막과 상기 제 1전극 사이의 산소 결핍된 제 1 전극의 산화막, 및 상기 산소 결핍 하프늄 산화막과 상기 제 2 전극 사이의 화학양론적 탄탈륨 산화막(Ta2O5)을 갖는 적층 구조에 의해, 3 개 이상의 복수의 저항 값들(예를 들면, 8 개의 상태들)을 갖고 포밍 과정이 필요하지 않으며 복잡한 주변 회로를 필요로 하지 않으면서 간단한 구조에서 자기 정류 특성과 저전력 구동이 가능한 신뢰성 있는 가변 저항체 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자가 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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