2020.09.09 00:07
| IP 명칭 | 다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
|---|---|
| 권리자 | 고려대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2015-0024885 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1739640 |
| 출원일 | 2015-02-23 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2017-05-18 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명은 다층 자기 박막 스택 및 자기 터널링 접합(MTJ)를 이용한 비휘발성 자기 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다층 자기 박막 스택은 터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 다층 자기 박막 스택이다. 일 실시예에서, 상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, 상기 터널링 장벽층에 인접한 체심 입방 구조를 가지며, 코발트 (Co) 및 철 (Fe)을 함유하는 CoFe계 제 1 자성층; 상기 CoFe계 자성층과 층간 자기 교환 결합되는 제 2 자성층; 및 상기 CoFe계 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층 사이에 배치되고, 상기 CoFe계 자성층에 인접하는 탄탈륨 (Ta)층 및 상기 제 2 자성층에 인접하는 루테늄(Ru)층의 적층 구조를 포함하는 제 1 복합 스페이서층을 포함한다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
-