2020.09.07 19:17
| IP 명칭 | 2 차 전지용 실리콘계 활물질 입자의 제조 방법 및 실리콘계 활물질 입자 |
|---|---|
| 권리자 | 넥시온 엘티디. |
| 발명자 또는 창작자 | 2014-07-23 |
| 출원번호 | 10-2014-0093627 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1550781-00-00 |
| 출원일 | |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2015-09-01 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 실리콘계 활물질 입자의 제조시 기계적 압축 및 전단 응력을 인가하여 실리콘 파우더를 세립화면서 동시에 실리콘 입자의 코어 상에 산화제 용매에 의한 습식 방법으로 형성된 실리콘 산화막(이하, 화학적산화층이라 함)을 상기 실리콘 입자의 코어 상에 형성하거나 상기 실리콘 입자 내의 산소 함유량을 조절하여 전지의 충·방전 동안 실리콘 입자의 코어가 과도하게팽창하는 것을 방지하고, 그에 따른 미분화를 방지하며, 고체성 전해질 인터페이스(solid electrolyte interface; SEI)의 안정된 형성을 유도함으로써 실리콘계 활물질 입자의 수명 향상에 기여하는 실리콘계 활물질 입자의 제조 방법이 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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