2020.09.07 19:11
| IP 명칭 | 다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
|---|---|
| 권리자 | 에스케이하이닉스 주식회사ㆍ 고려대학교 산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2014-0132940 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-2060419 |
| 출원일 | 2014-10-02 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2019-12-23 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예에 따르면, 자기 터널링 접합을 구성하는 자기 고정층 또는 자기 자유층 중 적어도 하나가 높은 수직 이방성을 갖는 (001) 구조의 자성층을 가지면서, 상기 (001) 구조를 안정적으로 유지함으로써, 낮은 계면 이방성과 열적 안정성을 개선하여 신뢰성 있는 데이터의 기록과 높은 데이터 유지 특성을 갖는 다층 자기 박막 스택이 제공될 수 있다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | 협의 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
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