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특허실용신안 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법
2020.09.02 07:46
| IP 명칭 | 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | - |
| 출원번호 | 10-2011-0072779 |
| 공개번호 | - |
| 등록번호 | 10-1264533 |
| 출원일 | 2011-07-22 |
| 공개일 | - |
| 등록일 | 2013-05-08 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | 비휘바성 메모리 소자 |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예들은 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 상변화 메모리 소자의 제조 방법은, 기판 상에 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막의 상기 콘택 홀을 채우도록, 상기 층간 절연막 상에 상변화 재료층 및 버퍼층을 교번시켜 적층함으로써, 적층된 층 구조 내에 상기 상변화 재료층과 상기 버퍼층 사이의 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계; 및 상기 적층된 층 구조를 열처리하여, 상기 콘택 홀 내로 상기 상변화 재료층을 리플로우시키는 단계를 포함한다. |
| IP 핵심 키워드 | 메모리 비휘발성 상변화 반도체 |
| 종래 기술과의 차이점 | 상변화 메모리 소자의 고집적화에 대응하여, 큰 종횡비를 갖는 콘택 홀 내에 보이드 영역 없이 고밀도의 상변화 매모리막을 형성할 수 있음. |
| 사업성 또는 시장성 | SK 하이닉스, 삼성전자 등. 글로벌 수요가 있음. |
| IP 실현단계(TRL) | 연구개발 완료 |
| IP 거래 형태 | |
| IP 거래 희망 시기 | 상시 |
| 거래 희망 금액 | 협의 |
| IP 거래 조건 | 협의 |
대표 등록 청구항
기판(10) 상에 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막(20)을 형성하는 단계;
상기 층간 절연막(20)의 상기 콘택 홀을 채우도록, 상기 층간 절연막 상에 상변화 재료층(30a) 및 버퍼층(30b)을 교번시켜 적층함으로써, 적층된 층 구조 내에 상기 상변화 재료층(30a)과 상기 버퍼층(30b) 사이의 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계; 및
상기 적층된 층 구조(30L)를 열처리하여, 상기 콘택 홀 내로 상기 상변화 재료층(30a)을 리플로우시키는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
설명도
