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특허실용신안 3차원 비휘발성 메모리
2020.09.02 07:25
| IP 명칭 | 3차원 비휘발성 메모리 |
|---|---|
| 권리자 | 서울대학교산학협력단 |
| 발명자 또는 창작자 | |
| 출원번호 | 10-2011-0056207 |
| 공개번호 | |
| 등록번호 | 10-1331859 |
| 출원일 | 2010-06-21 |
| 공개일 | |
| 등록일 | 2013-01-31 |
| IP 분야 | 전자통신소자 |
| 응용 분야 및 용도 | |
| 설명 및 특징 | 본 발명의 실시예들은 3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 3차원 비휘발성 메모리 장치는, 서로 평행하게 이격된 복수의 도전성 라인들; 상기 복수의 도전성 라인들을 가로지르면서 서로 평행하게 이격된 복수의 도전성 평판들; 및 상기 복수의 도전성 라인들과 상기 복수의 도전성 평판들의 교차 영역들 사이에 각각 배치되는 비휘발성 정보 저장막 패턴을 포함한다. |
| IP 핵심 키워드 | |
| 종래 기술과의 차이점 | |
| 사업성 또는 시장성 | - |
| IP 실현단계(TRL) | 사업화 |
| IP 거래 형태 | 매입 |
| IP 거래 희망 시기 | |
| 거래 희망 금액 | |
| IP 거래 조건 |
-
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